PJMF900N60E1_T0_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJMF900N60E1_T0_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJMF900N60E1_T0_00001-DG

Beskrivning:

600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 23.6W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventarier:

1998 Pcs Ny Original I Lager
12973609
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJMF900N60E1_T0_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
23.6W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ITO-220AB-F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
PJMF900

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
3757-PJMF900N60E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N60E1_T0_00001
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CTINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
panjit

PJW1NA60A_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJL9407_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ2408_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD15N15-95-BE3

MOSFET N-CH 150V 15A DPAK