Tillverkare Produktnummer:
PJMF380N65E1_T0_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJMF380N65E1_T0_00001-DG
Beskrivning:
650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventarier:
1998 Pcs Ny Original I Lager
12971168
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJMF380N65E1_T0_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
769 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ITO-220AB-F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
PJMF380
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
3757-PJMF380N65E1_T0_00001TR
3757-PJMF380N65E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF380N65E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF380N65E1_T0_00001
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJD50N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJA3403_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF4NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
