PJMD360N60EC_L2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJMD360N60EC_L2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJMD360N60EC_L2_00001-DG

Beskrivning:

600V SUPER JUNCITON MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 87.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

5985 Pcs Ny Original I Lager
12976224
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJMD360N60EC_L2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
735 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
87.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJMD360

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJMD360N60EC_L2_00001CT
3757-PJMD360N60EC_L2_00001TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nexperia

PMV164ENER

PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

nexperia

PMN37ENEX

PMN37ENE/SOT457/SC-74

onsemi

NVD6414ANT4G-VF01

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

nexperia

2N7002HR

2N7002H/SOT23/TO-236AB