Tillverkare Produktnummer:
PJD8NA65A_L2_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJD8NA65A_L2_00001-DG
Beskrivning:
650V N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7.5A (Ta) 140W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
12974020
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJD8NA65A_L2_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD8N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD8NA65A_L2_00001CT
3757-PJD8NA65A_L2_00001TR
3757-PJD8NA65A_L2_00001DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJQ4460AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
STP318N4F6
MOSFET N-CH 40V 160A TO220
2N6660
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
