PJD60R620E_L2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJD60R620E_L2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJD60R620E_L2_00001-DG

Beskrivning:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventarier:

Förfrågan Online
12970389
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJD60R620E_L2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
457 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 78W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD60

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD60R620E_L2_00001TR
3757-PJD60R620E_L2_00001CT
3757-PJD60R620E_L2_00001DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJQ1916_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ2460_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5442-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD15P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M