Tillverkare Produktnummer:
PJD60N04_L2_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJD60N04_L2_00001-DG
Beskrivning:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
12970925
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJD60N04_L2_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1759 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 62W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD60
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD60N04_L2_00001DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MSC360SMA120B
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
PJQ5462A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJE8428_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
