PJD1NA60B_L2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJD1NA60B_L2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJD1NA60B_L2_00001-DG

Beskrivning:

600V N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 1A (Ta) 28W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventarier:

Förfrågan Online
12971246
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJD1NA60B_L2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD1NA60

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD1NA60B_L2_00001CT
3757-PJD1NA60B_L2_00001DKR
3757-PJD1NA60B_L2_00001TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJD16N06A-AU_L2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5468A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD35N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4448P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M