Tillverkare Produktnummer:
PJD18N20_L2_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJD18N20_L2_00001-DG
Beskrivning:
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
2737 Pcs Ny Original I Lager
12971035
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJD18N20_L2_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1017 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD18N20
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD18N20_L2_00001TR
3757-PJD18N20_L2_00001DKR
3757-PJD18N20_L2_00001CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJF8NA65A_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
PJL9480_R2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJP4NA65_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
