Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
2SK0615
Product Overview
Tillverkare:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics Delenummer:
2SK0615-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 500MA M-A1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 500mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole M-A1
Inventarier:
Förfrågan Online
12841320
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK0615 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Panasonic
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (max)
20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
M-A1
Paket / Fodral
3-SIP
Datablad och dokument
Datasheets
2SK0615
HTML-Datasheet
2SK0615-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK137400L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-G1
NVMFS5C410NAFT3G
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
NVMFS5C604NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NTMS4107NR2G
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC