Tillverkare Produktnummer:
SI4532DY
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
SI4532DY-DG
Beskrivning:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
25774 Pcs Ny Original I Lager
12858843
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4532DY Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A, 3.5A
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 10V
Effekt - Max
900mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Grundläggande produktnummer
SI4532
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4532DYDKR
SI4532DY-DG
SI4532DYTR
SI4532DYCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NTHD5905T1
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
