RFD16N06LESM9A

Tillverkare Produktnummer:

RFD16N06LESM9A

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

RFD16N06LESM9A-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

4847 Pcs Ny Original I Lager

12858472

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

RFD16N06LESM9A Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

5V

rds på (max) @ id, vgs

47mOhm @ 16A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

62 nC @ 10 V

Vgs (max)

+10V, -8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1350 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

90W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-252AA

Paket / Fodral

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Grundläggande produktnummer

RFD16N06

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

RFD16N06LESM9A-DG

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

RFD16N06LESM9A-DG

RFD16N06LESM9ACT

RFD16N06LESM9ADKR

RFD16N06LESM9ATR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

NTP5860NG

MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRR

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

NTQS6463R2

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

onsemi

NTD20N06LT4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK