RFD16N06LESM9A
Tillverkare Produktnummer:

RFD16N06LESM9A

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

RFD16N06LESM9A-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

4847 Pcs Ny Original I Lager
12858472
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RFD16N06LESM9A Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max)
+10V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
RFD16N06

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
RFD16N06LESM9A-DG
RFD16N06LESM9ACT
RFD16N06LESM9ADKR
RFD16N06LESM9ATR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTP5860NG

MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRR

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

NTQS6463R2

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

onsemi

NTD20N06LT4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK