NXV08B800DT1
Tillverkare Produktnummer:

NXV08B800DT1

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NXV08B800DT1-DG

Beskrivning:

MOSFET 80V APM17-MDC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC

Inventarier:

12994117
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NXV08B800DT1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
rds på (max) @ id, vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
502nC @ 12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30150pF @ 40V
Effekt - Max
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 125°C (TA)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Paket för leverantörsenhet
APM17-MDC
Grundläggande produktnummer
NXV08

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
10
Andra namn
488-NXV08B800DT1

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

micro-commercial-components

BSS138BKDW-TPQ2

MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363