Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NXV08B800DT1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NXV08B800DT1-DG
Beskrivning:
MOSFET 80V APM17-MDC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC
Inventarier:
Förfrågan Online
12994117
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NXV08B800DT1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
rds på (max) @ id, vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
502nC @ 12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30150pF @ 40V
Effekt - Max
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 125°C (TA)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Paket för leverantörsenhet
APM17-MDC
Grundläggande produktnummer
NXV08
Datablad och dokument
Datablad
NXV08B800DT1
Datasheets
NXV08B800DT1
HTML-Datasheet
NXV08B800DT1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
10
Andra namn
488-NXV08B800DT1
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G120P03S2
MOSFET 30V 16A 8SOP
SMA5113
MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP
DMN61D9UDW-13-50
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363