Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NVMJS1D4N06CLTWG
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NVMJS1D4N06CLTWG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12939932
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NVMJS1D4N06CLTWG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
Automotive, AEC-Q101
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Ta), 262A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 280µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7430 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4W (Ta), 180W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-LFPAK
Paket / Fodral
SOT-1205, 8-LFPAK56
Grundläggande produktnummer
NVMJS1
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
488-NVMJS1D4N06CLTWGTR
488-NVMJS1D4N06CLTWGDKR
488-NVMJS1D4N06CLTWGCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS0D7N03CGT1G
MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
NTTFS5C680NLTAG
MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
NVMFWS020N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
NVMJS0D9N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK