Tillverkare Produktnummer:
NVMFWS004N10MCT1G
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NVMFWS004N10MCT1G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 5DFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 138A (Tc) 3.8W (Ta), 164W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventarier:
12991762
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NVMFWS004N10MCT1G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 138A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 164W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket för leverantörsenhet
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN, 5 Leads
Grundläggande produktnummer
NVMFWS004
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
488-NVMFWS004N10MCT1GTR
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVMJST3D3N04CTXG
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
NVLJWS022N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
NVMYS012N10MCLTWG
PTNG 100V LL LFPAK4