Tillverkare Produktnummer:
NTMYS2D9N04CLTWG
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTMYS2D9N04CLTWG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3.7W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventarier:
12839123
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTMYS2D9N04CLTWG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 68W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
LFPAK4 (5x6)
Paket / Fodral
SOT-1023, 4-LFPAK
Grundläggande produktnummer
NTMYS2
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
488-NTMYS2D9N04CLTWGCT
488-NTMYS2D9N04CLTWGDKR
2832-NTMYS2D9N04CLTWGTR
NTMYS2D9N04CLTWG-DG
488-NTMYS2D9N04CLTWGTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMS5672
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
FDMC86520L
MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
