Tillverkare Produktnummer:
NTMSD6N303R2
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTMSD6N303R2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
12840046
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTMSD6N303R2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
FETKY™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 24 V
FET-funktion
Schottky Diode (Isolated)
Effektförlust (max)
2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
NTMSD6
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
2156-NTMSD6N303R2-ONTR-DG
ONSONSNTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2OS
2156-NTMSD6N303R2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
FQA36P15
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
