NTMS3P03R2

Tillverkare Produktnummer:

NTMS3P03R2

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTMS3P03R2-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

Förfrågan Online

12856435

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

NTMS3P03R2 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2.34A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

750 pF @ 24 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

730mW (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SOIC

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grundläggande produktnummer

NTMS3P

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

ONSONSNTMS3P03R2

2156-NTMS3P03R2-ONTR

NTMS3P03R2OS

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.21.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

renesas-electronics-america

UPA1815GR-9JG-E1-A

MOSFET P-CH 20V 8-TSSOP

NTMFS5C609NLT1G

MOSFET N-CH 60V SO8FL

onsemi

NDS0610-G

FET -60V 10.0 MOHM SOT23

onsemi

NDP6030PL

MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3