Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NTMD6N02R2
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTMD6N02R2-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
Förfrågan Online
12860244
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTMD6N02R2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.92A
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 16V
Effekt - Max
730mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Grundläggande produktnummer
NTMD6
Datablad och dokument
Datablad
NTMD6N02R2
Datasheets
NTMD6N02R2
HTML-Datasheet
NTMD6N02R2-DG
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
2156-NTMD6N02R2-ONTR-DG
2156-NTMD6N02R2
ONSONSNTMD6N02R2
NTMD6N02R2OS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
NTMD6N02R2G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9878
DEL NUMMER
NTMD6N02R2G-DG
ENHETSPRIS
0.26
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
FDS9926A
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9224
DEL NUMMER
FDS9926A-DG
ENHETSPRIS
0.21
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FC6946010R
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
NSTJD4001NT1G
MOSFET P-CH SC88
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
VQ2001P
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP