Tillverkare Produktnummer:
NTHL020N120SC1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTHL020N120SC1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
393 Pcs Ny Original I Lager
13275958
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTHL020N120SC1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
203 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2890 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
535W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
NTHL020
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
488-NTHL020N120SC1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
NTBG020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
NVMFS5C628NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
