NTH4L060N065SC1
Tillverkare Produktnummer:

NTH4L060N065SC1

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTH4L060N065SC1-DG

Beskrivning:

SIC MOS TO247-4L 650V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventarier:

663 Pcs Ny Original I Lager
12979442
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTH4L060N065SC1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs
70mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 6.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1473 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
176W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4L
Paket / Fodral
TO-247-4

Datablad och dokument

Datablad
NTH4L060N065SC1

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
488-NTH4L060N065SC1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

DMP2065UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMP3045LVT-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R

micro-commercial-components

SIL03N10A-TP

MOSFET

diodes

DMP21D0UFB4-7R

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-