NTD80N02-001

Tillverkare Produktnummer:

NTD80N02-001

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTD80N02-001-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 24 V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventarier:

Förfrågan Online

12939624

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

NTD80N02-001 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

24 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2600 pF @ 20 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

75W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

I-PAK

Paket / Fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Grundläggande produktnummer

NTD80

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

NTD80N02-001-DG

Ytterligare information

Standard-paket

75

Andra namn

=NTD80N02=001

ONSONSNTD80N02-001

2156-NTD80N02-001-ON

NTD80N02-001OS

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ60S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

IRF7805ZTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK