NTD4860N-1G
Tillverkare Produktnummer:

NTD4860N-1G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTD4860N-1G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventarier:

12856780
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTD4860N-1G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.4A (Ta), 65A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1308 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.28W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
NTD48

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
ONSONSNTD4860N-1G
2156-NTD4860N-1G-ON

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

NVMFS5C456NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN

onsemi

NTMS7N03R2

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTTFS4C10NTWG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN