NTD4809NA-35G
Tillverkare Produktnummer:

NTD4809NA-35G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTD4809NA-35G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventarier:

Förfrågan Online
12856596
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTD4809NA-35G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 11.5V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1456 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grundläggande produktnummer
NTD48

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
2156-NTD4809NA-35G-ON
ONSONSNTD4809NA-35G

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

SCH1436-TL-H

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6SCH

onsemi

NTMS5P02R2SG

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

onsemi

NTD20N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTP13N10G

MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB