NTBGS2D5N06C
Tillverkare Produktnummer:

NTBGS2D5N06C

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTBGS2D5N06C-DG

Beskrivning:

POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

796 Pcs Ny Original I Lager
12954659
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTBGS2D5N06C Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 169A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V, 12V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 175µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3510 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
800
Andra namn
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

infineon-technologies

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8