Tillverkare Produktnummer:
NTBG040N120SC1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTBG040N120SC1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventarier:
705 Pcs Ny Original I Lager
12938460
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTBG040N120SC1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1789 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK-7
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grundläggande produktnummer
NTBG040
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
488-NTBG040N120SC1DKR
488-NTBG040N120SC1CT
2156-NTBG040N120SC1-488
488-NTBG040N120SC1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
G3R40MT12J
Tillverkare
GeneSiC Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1509
DEL NUMMER
G3R40MT12J-DG
ENHETSPRIS
16.54
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
NVBG040N120SC1
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1265
DEL NUMMER
NVBG040N120SC1-DG
ENHETSPRIS
29.06
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MTP9N25E
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
MTW8N50E
N-CHANNEL POWER MOSFET
