Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NDS8858H
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NDS8858H-DG
Beskrivning:
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
Förfrågan Online
12856601
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NDS8858H Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A, 4.8A
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Effekt - Max
1W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Grundläggande produktnummer
NDS885
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
NDS8858HCT-NDR
NDS8858HDKR
NDS8858HTR
NDS8858HCT
NDS8858HTR-NDR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDS8858CZ
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
18185
DEL NUMMER
FDS8858CZ-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVMFD5C446NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NTMFD5C466NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
BSO350N03
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
SI4542DY
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC