FQU5N50CTU
Tillverkare Produktnummer:

FQU5N50CTU

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQU5N50CTU-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventarier:

Förfrågan Online
12851636
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQU5N50CTU Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
FQU5

Datablad och dokument

Datasheets
FQU5N50CTU
HTML-Datasheet
FQU5N50CTU-DG

Ytterligare information

Standard-paket
5,040

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IRFU320PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2351
DEL NUMMER
IRFU320PBF-DG
ENHETSPRIS
0.51
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPD90N06S4L05ATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPP037N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

rohm-semi

R6504ENJTL

MOSFET N-CH 650V 4A LPTS

rohm-semi

R6006JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM