Tillverkare Produktnummer:
FQT4N20LTF
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQT4N20LTF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventarier:
50 Pcs Ny Original I Lager
12840019
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQT4N20LTF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
FQT4N20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSP297H6327XTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7629
DEL NUMMER
BSP297H6327XTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.30
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
