Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQT4N20LTF
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQT4N20LTF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventarier:
50 Pcs Ny Original I Lager
12840019
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQT4N20LTF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
FQT4N20
Datablad och dokument
Datablad
FQT4N20L
Datasheets
FQT4N20LTF
HTML-Datasheet
FQT4N20LTF-DG
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSP297H6327XTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7629
DEL NUMMER
BSP297H6327XTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.30
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
FQPF5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F