FQP32N20C_F080
Tillverkare Produktnummer:

FQP32N20C_F080

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQP32N20C_F080-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12838571
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP32N20C_F080 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
82mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP3

Datablad och dokument

Datablad
FQP(F)32N20C
Datasheets
FQP32N20C_F080
HTML-Datasheet
FQP32N20C_F080-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

FCU3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

onsemi

FQP6N50

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3

onsemi

FDPF7N50

MOSFET N-CH 500V 7A TO220F

onsemi

FQD4N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK