Tillverkare Produktnummer:
FQP2N80
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQP2N80-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12839601
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQP2N80 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
85W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP2
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-FQP2N80-OS
ONSONSFQP2N80
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP3NK80Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
993
DEL NUMMER
STP3NK80Z-DG
ENHETSPRIS
0.70
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCPF190N60E-F152
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
FDB2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
FQB7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
