Tillverkare Produktnummer:
FQP10N20
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQP10N20-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12846582
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQP10N20 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
87W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP1
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RCX100N25
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
429
DEL NUMMER
RCX100N25-DG
ENHETSPRIS
0.86
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
IRF630
Tillverkare
Harris Corporation
ANTAL TILLGÄNGLIGT
11535
DEL NUMMER
IRF630-DG
ENHETSPRIS
0.80
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF630PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5461
DEL NUMMER
IRF630PBF-DG
ENHETSPRIS
0.51
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDPF13N50FT
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
CPH3360-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
AOB15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
