FQD2N90TM

Tillverkare Produktnummer:

FQD2N90TM

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQD2N90TM-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

11464 Pcs Ny Original I Lager

12930578

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FQD2N90TM Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

QFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

900 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

7.2Ohm @ 850mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

500 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-252AA

Paket / Fodral

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Grundläggande produktnummer

FQD2N90

Datablad och dokument

Datablad

FQD2N90, FQU2N90

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

FQD2N90TMTR

FQD2N90TM-DG

FQD2N90TMCT

FQD2N90TMDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

HUF76609D3

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

onsemi

HUFA75307D3ST

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2910L

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AOD2904

MOSFET N-CH 100V 10.5A/70A TO252