FQB7N20LTM
Tillverkare Produktnummer:

FQB7N20LTM

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQB7N20LTM-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online
12849374
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQB7N20LTM Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FQB7

Datablad och dokument

Datasheets
FQB7N20LTM
HTML-Datasheet
FQB7N20LTM-DG

Ytterligare information

Standard-paket
800

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
RCJ081N20TL
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
RCJ081N20TL-DG
ENHETSPRIS
0.38
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

IRFP150A

MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN

infineon-technologies

IPP096N03L G

MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3

onsemi

FQP13N06L

MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOT66916L

MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220