Tillverkare Produktnummer:
FQB5N90TM
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQB5N90TM-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12847267
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQB5N90TM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FQB5N90
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FQB5N90TMTR
2832-FQB5N90TM
2156-FQB5N90TM-OS
FQB5N90TM-DG
ONSONSFQB5N90TM
FQB5N90TMDKR
FQB5N90TMCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA6N120P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3725
DEL NUMMER
IXFA6N120P-DG
ENHETSPRIS
5.46
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP50N06L
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
FDT461N
MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
FDH27N50
MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
