Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQB22P10TM-F085
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQB22P10TM-F085-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12848513
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQB22P10TM-F085 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FQB2
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085DKR
FQB22P10TM_F085DKR-DG
FQB22P10TM_F085CT-DG
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085CT
FQB22P10TM-F085DKR
FQB22P10TM-F085CT
FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TMF085
FQB22P10TM_F085TR-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FQB22P10TM
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FQB22P10TM-DG
ENHETSPRIS
0.79
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IRF9540NSTRLPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4795
DEL NUMMER
IRF9540NSTRLPBF-DG
ENHETSPRIS
0.75
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQI47P06TU
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
NTHS4501NT1
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
FDB8132_F085
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3