FQB13N06LTM
Tillverkare Produktnummer:

FQB13N06LTM

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQB13N06LTM-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online
12846863
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQB13N06LTM Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FQB1

Ytterligare information

Standard-paket
800

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
STB16NF06LT4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1500
DEL NUMMER
STB16NF06LT4-DG
ENHETSPRIS
0.57
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

FQN1N60CTA

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO3420

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L

onsemi

FDMC3612

MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP

onsemi

FQP55N10

MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3