Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQB11P06TM
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQB11P06TM-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12838306
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQB11P06TM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FQB11P06
Datablad och dokument
Datablad
FQB11P06
Datasheets
FQB11P06TM
HTML-Datasheet
FQB11P06TM-DG
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF9Z34STRRPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
398
DEL NUMMER
IRF9Z34STRRPBF-DG
ENHETSPRIS
1.20
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF9Z34STRLPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5359
DEL NUMMER
IRF9Z34STRLPBF-DG
ENHETSPRIS
0.79
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF9Z34SPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1625
DEL NUMMER
IRF9Z34SPBF-DG
ENHETSPRIS
0.76
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FQB27P06TM
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
14
DEL NUMMER
FQB27P06TM-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56