Tillverkare Produktnummer:
FQAF17P10
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQAF17P10-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventarier:
12847189
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQAF17P10 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
56W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PF
Paket / Fodral
TO-3P-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
FQAF1
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQA70N10
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
NTD4959N-35G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
