FQA6N90C-F109

Tillverkare Produktnummer:

FQA6N90C-F109

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FQA6N90C-F109-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 900 V 6A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventarier:

Förfrågan Online

12850348

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FQA6N90C-F109 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

QFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

900 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

2.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1770 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

198W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-3PN

Paket / Fodral

TO-3P-3, SC-65-3

Grundläggande produktnummer

FQA6

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

FQA6N90C-F109-DG

Ytterligare information

Standard-paket

30

Andra namn

FQA6N90C_F109-DG

FQA6N90C_F109

ONSONSFQA6N90C-F109

2156-FQA6N90C-F109-OS

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

FQPF9N25

MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F

onsemi

FDMC7660DC

MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33

alpha-and-omega-semiconductor

AO4423

MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC

onsemi

FDPF55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220F