Tillverkare Produktnummer:
FQA38N30
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA38N30-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventarier:
12836661
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA38N30 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
290W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA3
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
