Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQA28N50
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA28N50-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventarier:
Förfrågan Online
12846261
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA28N50 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
310W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA2
Datablad och dokument
Datasheets
FQA28N50
HTML-Datasheet
FQA28N50-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW28NM50N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
144
DEL NUMMER
STW28NM50N-DG
ENHETSPRIS
3.81
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW26NM50
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
364
DEL NUMMER
STW26NM50-DG
ENHETSPRIS
6.36
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FDA28N50
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
53
DEL NUMMER
FDA28N50-DG
ENHETSPRIS
2.12
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOT430
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
AOY516
MOSFET N-CH 30V 46A TO251B
FQD4P25TM
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
HUFA75852G3
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3