Tillverkare Produktnummer:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA13N50C-F109-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventarier:
12838434
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA13N50C-F109 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
218W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA13
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
450
Andra namn
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK39J60W,S1VQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
22
DEL NUMMER
TK39J60W,S1VQ-DG
ENHETSPRIS
5.38
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQPF2N60
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
HUF76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
BFL4026-1E
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
