Tillverkare Produktnummer:
FQA11N90C
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA11N90C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventarier:
12848305
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA11N90C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA1
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW7NK90Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
86
DEL NUMMER
STW7NK90Z-DG
ENHETSPRIS
1.75
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFPF50PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
466
DEL NUMMER
IRFPF50PBF-DG
ENHETSPRIS
3.01
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
