Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDT86256
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDT86256-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 1.2A (Ta), 3A (Tc) 2.3W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventarier:
2806 Pcs Ny Original I Lager
12839974
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDT86256 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
845mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
73 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.3W (Ta), 10W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
FDT86
Datablad och dokument
Datablad
FDT86256
Datasheets
FDT86256
HTML-Datasheet
FDT86256-DG
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
FDT86256CT
FDT86256DKR
FDT86256TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDT86246
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5563
DEL NUMMER
FDT86246-DG
ENHETSPRIS
0.43
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTD32N06
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
FQP7N10
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
FCB199N65S3
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK