FDS5670

Tillverkare Produktnummer:

FDS5670

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDS5670-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

21413 Pcs Ny Original I Lager

12846241

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDS5670 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

6V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2900 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SOIC

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grundläggande produktnummer

FDS56

Datablad och dokument

Datablad

FDS5670 Datasheet

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

FDS5670TR

2156-FDS5670-OS

ONSFSCFDS5670

FDS5670DKR

FDS5670CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

AON6916

MOSFET N-CH

onsemi

FQU10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407L

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

onsemi

FQD17N08LTM

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252