Tillverkare Produktnummer:
FDS4435BZ
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDS4435BZ-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
27015 Pcs Ny Original I Lager
12850362
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDS4435BZ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1845 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
FDS4435
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
FDS4435BZTR
2156-FDS4435BZ-OS
FDS4435BZDKR
FAIFSCFDS4435BZ
FDS4435BZCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
AOI4S60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
