FDS2170N3
Tillverkare Produktnummer:

FDS2170N3

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDS2170N3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventarier:

12850569
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS2170N3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO FLMP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
FDS21

Datablad och dokument

Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
FDMS2672
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1825
DEL NUMMER
FDMS2672-DG
ENHETSPRIS
1.14
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

AUIRF3805S-7P

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6324

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

onsemi

FQP6N15

MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F