Tillverkare Produktnummer:
FDP8870-F085
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDP8870-F085-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12851181
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDP8870-F085 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 156A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
160W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FDP88
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
400
Andra namn
FDP8870_F085
FDP8870_F085-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN4R3-30PL,127
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4699
DEL NUMMER
PSMN4R3-30PL,127-DG
ENHETSPRIS
0.72
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPP042N03LGXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
238
DEL NUMMER
IPP042N03LGXKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.49
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
HUFA76633P3
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
