FDP047N10

Tillverkare Produktnummer:

FDP047N10

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDP047N10-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

917 Pcs Ny Original I Lager

12836513

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDP047N10 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tube

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

4.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

210 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

15265 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

375W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220-3

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

FDP047

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

ONSONSFDP047N10

2156-FDP047N10-OS

2832-FDP047N10

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

ATP208-TL-H

MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK

onsemi

FDPF045N10A

MOSFET N-CH 100V 67A TO220F

onsemi

2N7000

MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C

onsemi

3LN01SS-TL-H

MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP