FDP038AN06A0

Tillverkare Produktnummer:

FDP038AN06A0

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDP038AN06A0-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

245 Pcs Ny Original I Lager

12837453

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDP038AN06A0 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tube

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

17A (Ta), 80A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

6V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

3.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

124 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

6400 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

310W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220-3

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

FDP038

Datablad och dokument

Datablad

FDP038AN06A0, FDI038AN06A0

Datasheets

HTML-Datasheet

FDP038AN06A0-DG

Ytterligare information

Standard-paket

50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

FDP053N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

2SK3816-DL-1EX

MOSFET N-CH

onsemi

FCP4N60

MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3

onsemi

FQD630TM

MOSFET N-CH 200V 7A DPAK